SK Hynix
17 則報導橫跨 13 期2026-07-25 起
2026-09-17TechCrunch AI
傳 SK Hynix 與 Intel 洽談首度在美生產記憶體晶片，考慮租用俄亥俄州廠房或組建合資公司
2026-09-07DigiTimes
AI 基礎設施帶動 HBM 與 DRAM 需求，三星與 SK 海力士記憶體庫存跌破 10 天
2026-09-07iThome 中國
據報三星將半數 4 奈米產能投入 HBM4 基礎裸片生產，以滿足客製化邏輯電路需求
2026-09-02iThome 中國
據報三星鎖定 70% 記憶體產能至 2031 年，HBM 長約價僅現貨五分之一
2026-08-28DigiTimes
據報 SK Hynix 因散熱與封裝限制質疑 PIM 架構，與三星解決 HBM 瓶頸路線分歧
2026-08-25TechNews 科技新報
SK 海力士揭露 HBM4 規格：單堆疊頻寬逾 2TB/s，未來將導入混合鍵合並朝 3D 封裝發展
2026-08-15iThome
SK 集團會長稱 AI 帶動記憶體晶片通膨，預測 2027 年短缺最嚴重
2026-08-14TechNews 科技新報
據報三星要求新購半導體設備標配 AI 代理，SK 海力士年底前完成實機評估並與 KPI 掛鉤
2026-08-14科技新報 AI
SK 海力士印第安納州 38.7 億美元 HBM 封裝廠 8/27 動土，預計 2028 下半年量產
2026-08-11DigiTimes
據報三星 HBM4 記憶體良率逼近 80%，與 SK Hynix 產能競爭升溫
2026-08-08Hacker News
據報三星、SK 海力士與美光 2027 年 DRAM 與 HBM 產能已被 AI 企業全數包下
2026-08-08DigiTimes
據報 SK 海力士因應 AI 記憶體需求，將投資 390 億美元於龍仁與清州建廠
2026-08-07愛範兒
三星發表 AI 伺服器 zHBM 概念模型與 400 層 V10 BV-NAND，SK 海力士聯手 SanDisk 推出 HBF 規範
2026-08-07AI 科技評論
SK 海力士與 SanDisk 透過 OCP 發布 HBF 0.7.0 規範：將 512 GiB NAND 封裝至 xPU 旁，最高頻寬達 3TB/s
2026-08-04TechNews 科技新報
據報長鑫存儲擬在北京興建第二座 12 吋 DRAM 廠，全面擴產後月產能將逾 60 萬片
2026-07-29科技新報 AI
SK海力士財報創高、HBM4出貨
2026-07-25中央社 科技