前瞻與傳聞
據報三星 HBM4 記憶體良率逼近 80%，與 SK Hynix 產能競爭升溫
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據 DigiTimes 報導，三星電子（Samsung Electronics）第六代高頻寬記憶體（HBM4）的生產良率已逼近 80%。報導指出，這標誌著自開始量產以來的良率已大幅改善，同時顯示三星與 SK Hynix 之間的競爭重心正逐漸轉向實際生產階段。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種用於 3D 堆疊 SDRAM 的記憶體介面，最初由三星、AMD 與 SK Hynix 共同開發，常與高效能圖形加速器搭配使用。目前 SK Hynix、三星與美光（Micron）並列為全球三大記憶體製造商，在先進記憶體市場持續展開激烈競爭。