SK 海力士印第安納州 38.7 億美元 HBM 封裝廠 8/27 動土，預計 2028 下半年量產

據報導，韓國記憶體大廠 SK 海力士將於 8 月 27 日為美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）的先進封裝廠舉行動土儀式。該廠總投資額達 38.7 億美元，專注於生產 AI 所需的高頻寬記憶體（HBM），預計 2028 年下半年開始量產。 美國政府已透過《晶片法案》提供該廠 4.5 億美元補助與 5 億美元貸款。據悉，SK 海力士執行長郭魯正將出席典禮，市場亦關注 SK 集團會長崔泰源與輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳是否同台。 此外，SK 海力士今年 1 月已宣布投資 19 兆韓圜（約 130 億美元）於韓國清州興建 P&T7 先進封測廠，預計 2027 年底完工、2028 年全面投產，未來將與印第安納州新廠及韓國利川 M16 廠共同擴充高階封裝產能。