三星發表 AI 伺服器 zHBM 概念模型與 400 層 V10 BV-NAND，SK 海力士聯手 SanDisk 推出 HBF 規範

三星在未來記憶體與儲存大會（FMS）發表近 30 款技術更新，包含採用晶圓鍵合技術、突破 400 層堆疊的 V10 BV-NAND 快閃記憶體，記憶體密度較 286 層的 V9 版本提升 58%。針對 AI 伺服器，三星提出將 HBM 直接堆疊於處理器上方的 zHBM（zero-distance）概念模型，預期效能為 HBM5 的 8 倍、儲存密度逾 10 倍、能效提升 3 倍且熱阻減半，但預估需 5 年以上解決散熱問題。此外，業界預期 HBM4 價格將從今年下半年的 2 美元/Gb 漲至明年的 4 至 5 美元/Gb，即將量產的 HBM4E 價格將達 HBM4 的兩倍。 SK 海力士與 SanDisk 聯合發布 HBF（高頻寬快閃記憶體）首份技術規範，Google 與 Tenstorrent 已加入該標準化聯盟。HBF 支援高達 20 層 NAND 堆疊，主打作為分層儲存方案的 HBM 替代品；在相近於 300 至 500 美元的 12 層 36GB HBM 模組成本下，HBF 可提供達 512GB 容量。由於 HBF 延遲較 HBM 慢兩個數量級，預計用於存放模型權重等穩定數據，最快於 2028 年投入商業化。 據韓媒報導，長鑫存儲拒絕蘋果的降價要求，報價不低於三星與 SK 海力士。供應鏈消息指出，長鑫 LPDDR6 記憶體已進入送樣階段，有望於今年下半年量產；《日經亞洲》亦報導惠普、宏碁與華碩等 PC 大廠今年已完成長鑫 DRAM 認證並開始小量採購。預估到 2026 年底，長鑫的 12 吋 DRAM 晶圓月產能將達 35 萬片，逼近美光的 37.5 萬片。