晶片與算力
據報 SK Hynix 因散熱與封裝限制質疑 PIM 架構，與三星解決 HBM 瓶頸路線分歧
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據 DigiTimes 報導，韓國記憶體大廠 Samsung Electronics 與 SK Hynix 在解決 HBM 效能瓶頸上，正採取截然不同的技術路線。SK Hynix 對 PIM（Processing-In-Memory）架構提出質疑，指出散熱與封裝的物理限制將成為 HBM 發展的阻礙。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種用於 3D 堆疊同步動態隨機存取記憶體（SDRAM）的電腦記憶體介面。該技術最初由三星（Samsung）、AMD 與 SK 海力士（SK Hynix）共同開發。