據報三星將進軍高頻寬快閃記憶體（HBF），為 AI 推論打造 NAND 新記憶體層級

據《DigiTimes》報導，三星電子（Samsung Electronics）正計畫進軍高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash, HBF）領域。隨著競爭對手開始為 AI 推論建立全新的 NAND 記憶體層級，三星也試圖將其次世代記憶體的發展版圖從現有的 HBM 擴展至 HBF。