美光展示 512GB DDR5 RDIMM 伺服器記憶體：速率達 9200 MT/s、功耗降逾 60%，預計 2027 年下半年量產

據報導，美光宣布展示 512GB DDR5 RDIMM 伺服器記憶體模組，傳輸速率最高達 9200 MT/s，預計於 2027 年下半年依客戶需求量產。 該模組採用先進垂直互連封裝技術，透過矽穿孔垂直堆疊 DRAM 晶粒以提高密度。功耗方面，單條 512GB 模組約 16W，相較於 4 條 128GB RDIMM 合計的 44.2W，運作功耗降低逾 60%。 在以 Spark 支援向量機為基礎的資料分析工作中，其效能較 256GB DDR5 配置最高提升 1.4 倍。以 24 個插槽的雙路伺服器計算，單一系統最多可配置 12TB 記憶體。目前產品已在多個伺服器平台完成展示，AMD 與 Intel 均積極進行平台驗證。 報導補充，全球記憶體市場面臨供應緊張，美光預期 2027 與 2028 年供需將比 2026 年更緊。德國 3DCenter 數據顯示 9 月 DDR5 價格持續攀升，其中 2x16GB DDR5-6400 CL30 套裝單月上漲 103%；三星亦表示 HBM 明年可能占全球 DRAM 晶圓產能近 30%，恐進一步排擠標準 DRAM 供應。