Nvidia 要求 NVHBM 基礎晶粒統一採台積電 3 奈米製程，三星打破全包模式首度配合

Nvidia 要求三星電子、SK 海力士與美光在客製化記憶體 NVHBM 上，基礎晶粒統一採台積電 3 奈米製程，核心晶粒統一採代號 1c 的第六代 DRAM 製程。

多家媒體引述韓媒《首爾經濟日報》業界消息指出，Nvidia 已向三星、SK 海力士及美光提出要求，NVHBM 基礎晶粒統一由台積電 3 奈米生產，核心晶粒採用 1c DRAM 製程。

使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片

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코어다이에는 6세대 10나노급인 1c D램을 적용

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三星 DS 事業部評估後同意配合 Nvidia 要求，此為三星首次在 HBM 製造階段採用台積電代工服務。

中央社引述報導指出，三星內部審查後決定同意 Nvidia 要求，這將打破過往全包模式，為三星首次在 HBM 製造階段採用台積電代工合作。

首次在HBM製造階段與台積電合作

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NVHBM 為 Nvidia 於 8 月發布、基於 HBM4E 架構的客製化產品，將記憶體控制器整合至基礎晶粒中，統一製程旨在標準化並縮減驗證流程。

報導指出 NVHBM 為 Nvidia 於 8 月發布的 HBM4E 架構客製化記憶體，藉由將控制器整合進基礎晶粒並統一製程規格，以利標準化並減輕驗證負擔。

8月發表的NVHBM將輝達客製化記憶體控制器整合進基礎晶粒

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三星在標準 HBM 與 AMD 等客製化訂單維持全包自製策略，同時評估於自家產線製造 NVHBM 基礎晶粒以因應台積電產能不足風險。

報導指出三星對標準 HBM 產品及 AMD 等客戶訂單仍維持全包自製，同時三星也正在驗證自家產線生產 NVHBM 基礎晶粒，作為台積電產能不足時的應對預案。

防止 NVHBM 需求超出台积电产能上限

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