三星為擴充 HBM 產能，將 DDR5 與 SSD 新增產能全面交由 OSAT 廠委外代工

據業界消息指出，為將資源集中於高頻寬記憶體（HBM）等先進產品，三星電子計劃將通用型 DDR5 記憶體模組與固態硬碟（SSD）的新增產能，幾乎全數交由組裝與測試外包（OSAT）廠承接。 因 AI 半導體需求激增導致後段產線空間不足，三星正將韓國天安與溫陽等地的封裝工廠，全面重新配置為包含 HBM 在內的先進封裝產線。為因應 PC 與伺服器的 DDR5 需求，三星已提議供應鏈夥伴提前推進原訂的擴產計畫，透過外包模式支撐組裝門檻較低的 DDR5 產能。 在廠區布局方面，三星本月將於溫陽園區動工興建耗資 6 兆韓圜的 HBM 新廠；同時斥資 15 億美元於越南太原省興建新後段工廠，未來將專門處理 DDR4、LPDDR4、NAND 快閃記憶體與 UFS 等較舊世代產品的測試業務。