三星發表 CUBE 記憶體策略：2028 推出 3D 架構 zHBM 與 zNAND-O，效能目標提升 8 倍

據報導，三星電子於 SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇提出「CUBE」策略（容量、利用率、頻寬、效率），聚焦下一代 3D 記憶體與儲存架構，以解決 AI 資料中心與裝置端 AI 的效能瓶頸。 三星宣布將於 2028 年實現 zHBM 商業化並推出 zNAND-O 樣品。有別於傳統將記憶體與處理器並排的 2.5D 架構，zHBM 將記憶體直接堆疊在處理器之上；相較於 HBM4E，zHBM 目標將效能最高提升 8 倍、每瓦效能提升 3 倍，並降低 75% 至 90% 的熱阻。zNAND-O 則結合 V10 BV-NAND 與 TSV 技術，透過 UCIe 標準介面與 NPU 整合於單一封裝中。 在現有 HBM 產品線方面，三星表示已出貨業界首款 12 層 HBM4E 樣品，單一 GPU 配置 4 個堆疊可達 16 TB/s 頻寬，每瓦效能較 HBM4 提升 20%。下一代 HBM5 已著手開發，目標效能較 HBM4E 再提升 2 倍。此外，三星最新 V10 技術採用全新鍵合技術，位元密度較前代提升 58%、I/O 速度提升 33%、功耗下降 25% 至 26%，並透過晶圓對晶圓鍵合（Wafer-on-Wafer Bonding）與混合銅鍵合（HCB）技術進一步降低熱阻。