據報英特爾投入次世代記憶體堆疊技術 XBM 與 ZAM 研發，評估 CPU 與記憶體直接堆疊方案

據報導，為提升 AI 運算晶片性能並解決記憶體牆（Memory Wall）問題，英特爾（Intel）正擴大對記憶體連接與堆疊技術的投資。英特爾執行長陳立武透露，公司正在評估將 CPU 與記憶體直接堆疊的方案，目前參與開發的次世代記憶體技術主要為 XBM（Cross-Batch Memory）與 ZAM（Z-Angle Memory）。 XBM 旨在改善現行 HBM 複雜且昂貴的封裝結構，提出利用晶片間的高速連接技術降低封裝成本。英特爾已於 2024 年 12 月 26 日提交 XBM 專利申請，文件中將其描述為一種超高頻寬記憶體（ultra-high-bandwidth memory），不過該技術目前僅處於專利公開概念階段，尚無具體產品化計畫。 ZAM 則透過將 DRAM 進行垂直緊密堆疊，以提升容量與資料處理速度並降低功耗。英特爾正與軟銀（SoftBank）旗下子公司 SAIMEMORY 合作開發 ZAM，計畫於 2027 年製作樣品，並以 2029 年實現商用化為目標。 在人事佈局上，英特爾已於 2026 年 6 月延攬前 SK 海力士 CEO 李錫熙（Lee Seok-hee），負責統籌先進封裝、系統整合以及後段製程技術的研發與生產，以強化邏輯晶片、記憶體和網路的系統整合能力。