據報三星 NRD-K 第二產線轉向晶圓代工，將為輝達生產 HBM 用 2 奈米基礎晶片

據韓國媒體報導，三星正推動將位於器興園區建設中的「NRD-K」第二條生產線轉型為晶圓代工專用的中繼晶圓廠（Send-Fab），為輝達等核心客戶生產次世代 HBM 用 2 奈米基礎晶片。該產線原先由華城記憶體事業部主導並規劃為 DRAM 量產線，本月決策轉向晶圓代工後，業界預期三星未來的 DRAM 量產重心將進一步集中於平澤園區。 基礎晶片位於 HBM 垂直堆疊的多個 DRAM 下方，負責支援 HBM 與 GPU 之間的數據傳輸；三星計畫將 2 奈米技術應用於未來的客製化 HBM 及第八代 HBM5 中。NRD-K 為三星計畫於 2030 年前投入約 20 兆韓圜建設的複合研發園區，第二線預計從 2026 年開始籌備、2028 年下半年啟用。由於距離實際開出設備採購訂單仍有約兩年時間，市場人士指出具體投資方向與規模未來仍可能因應市況微調。