前瞻與傳聞
據報三星 4nm 產能因 Nvidia 與 HBM4 訂單滿載至 2027 年，轉推 5nm 製程
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據《ZDNet Korea》報導，三星電子（Samsung Electronics）晶圓代工部門正加強銷售其 5nm 製程。主要原因是受惠於 HBM4 基礎晶粒（base-die）的生產需求，以及 Nvidia 推論晶片的訂單湧入，三星較先進的 4nm 產能預計將一路滿載至 2027 年。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種用於 3D 堆疊 SDRAM 的記憶體介面，最初由三星、AMD 與 SK 海力士共同開發，常與圖形加速器等高效能設備搭配使用。在積體電路領域中，裸晶（Die）則是指製造出功能性電路的半導體材料區塊。