前瞻與傳聞
傳三星 12 層堆疊 HBM4E 記憶體通過 NVIDIA 品質驗證，單堆疊容量達 48GB
iThome 中國單一來源
尚未逐項核實
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據《韓國經濟日報》報導，三星電子的 12 層堆疊 HBM4E 記憶體已於 9 月末通過 NVIDIA 及主要超大規模資料中心企業的品質驗證測試。該產品於今年 5 月出樣，結合 1c nm DRAM Die 與 4nm Logic Die，單堆疊容量達 48GB，支援 14 至 16Gbps 腳位傳輸速率，並實現 16% 能效提升與 14% 熱阻改善。目前各客戶的供貨量、合約規模與出貨時間尚未敲定，三星官方則回應「無法確認」產品是否已通過驗證。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種 3D 堆疊記憶體介面，最初由三星、AMD 與 SK 海力士共同開發，常與高效能圖形加速器搭配使用。除了加速器外，部分 CPU 也會將 HBM 作為封裝內快取或記憶體使用。