晶片與算力
Micron 於 Hot Chips 2026 透露：同容量 HBM 所需晶圓面積為 DDR5 的三倍
Reddit r/LocalLLaMA單一來源
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據 Reddit 社群流傳，Micron 在 Hot Chips 2026 大會上指出，在相同記憶體容量下，HBM 所需的晶圓面積約為 DDR5 的三倍。據報導，Micron 研究員（Fellow）在會中證實，隨著新世代交替，此面積消耗比例「絕對不會改善」。
技術資料顯示，HBM4 晶粒運作時需使用 256 個記憶體庫（memory banks），而 DDR5 僅需 32 個；此外，HBM 還需額外空間容納資料路徑、供電設計以及連接堆疊晶粒的矽穿孔（Through-Silicon Vias）。
社群分析指出，這意味著資料中心 GPU（如搭載 144GB HBM 的 B100）將消耗等同於 432GB DDR5 的晶圓面積。隨著三大廠（Micron、Samsung、SK）將產能轉向 HBM，常規 DRAM 的總容量產出實質上減少了三分之二，短期內記憶體的供應限制恐難以緩解。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種用於 3D 堆疊 SDRAM 的記憶體介面，最初由三星、AMD 與 SK 海力士開發，常應用於高效能圖形加速器。為了連接這些堆疊的記憶體晶片，HBM 採用了矽穿孔（TSV）技術，這是一種完全穿透矽晶圓或晶粒的垂直電氣連接，專門用於建立 3D 封裝與積體電路。