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2026-08-25 日報
前瞻與傳聞

據報 HBM4 頻寬將達 2.8 TB/s 且 I/O 翻倍,以應對 AI 算力與記憶體頻寬發展失衡的「記憶體牆」

SemiWiki單一來源
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據 SemiWiki 報導,當前 AI 加速器的浮點運算能力約每兩年增長三倍,但高頻寬記憶體(HBM)的頻寬增長不到兩倍,加劇了限制系統效能的「記憶體牆」問題。世代演進數據顯示,HBM1 提供 1,024 個資料 I/O 與約 128 GB/s 頻寬;HBM3E 維持 1,024 個 I/O,但單堆疊頻寬提升至約 1 TB/s。未來的 HBM4 將介面翻倍至 2,048 個 I/O,擴展至 32 個通道與 64 個偽通道(pseudo-channels),目標頻寬約達 2.8 TB/s。在系統層級,八個 HBM3 堆疊理論上可提供約 5.3 TB/s 頻寬,遠高於八通道 DDR5 伺服器配置的 307 GB/s。然而,HBM3E 消耗的矽面積約為同容量 DDR5 的三倍,且更高的堆疊與熱通量帶來封裝與散熱風險,使液冷、混合鍵合(hybrid bonding)與玻璃基板成為必要技術。在可靠性方面,自 HBM3 起導入雙層保護機制,結合系統級 CRC 或 ECC 與晶粒內部的 Reed-Solomon 錯誤更正碼,以避免單一記憶體缺陷癱瘓大型加速器叢集。
讀原始報導

背景

高頻寬記憶體(HBM)的 3D 封裝高度依賴矽穿孔(TSV)與中介層(Interposer)技術。TSV 是一種穿透矽晶圓的垂直電氣連接技術,能取代傳統打線封裝來建立高效能的 3D 積體電路;中介層則由矽或有機材料製成,負責在不同連接點之間重新佈線或擴展間距,藉此將記憶體與處理器緊密整合。

來源

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