三星確認 HBM4E 傳輸速度達 16Gbps，單一堆疊頻寬高達 4TB/s

據報導，三星代表在 Hot Chips 2026 大會前瞻計畫中證實，正準備出貨單一針腳傳輸速度達 16 Gbps 的最新一代 HBM4E 記憶體。在每層堆疊 2,048 根針腳的架構下，16 Gbps 速度可使單一 HBM4E 堆疊的最大記憶體頻寬達到 4 TB/s，超越自 2026 年 5 月底起出貨之 14 Gbps 版本的 3.6 TB/s。 在容量配置上，三星目前已開始提供單疊容量 48 GB 的 12 層堆疊版本，未來規劃進一步推出 8 層（32 GB）與 16 層（64 GB）規格。製造技術方面，HBM4E 採用專為 DRAM 最佳化的第 6 代 10 奈米級製程進行多層堆疊，其客製化基礎晶片（Base Die）則導入三星自家的 4 奈米 SF4 製程節點，以強化與各類封裝技術的整合能力。