大摩預估 HBM 產能排擠效應加劇，2026 下半年 DDR4 與 SLC NAND 價格將大漲 50%

據摩根士丹利（Morgan Stanley）最新報告預期，由於記憶體製造商將產能大舉轉移至高頻寬記憶體（HBM）與 DDR5 等高效能晶片，2026 年下半年標準型 DRAM 與 NAND 供應吃緊將顯著加劇。報告預估，技術較成熟的 DDR4 價格將在 2026 年第三季大漲 50%、第四季再漲 10%；SLC NAND 預計在年底前兩季每季皆將強彈 50%。 產能排擠主因在於 HBM 晶圓消耗量約為傳統 DRAM 的 3 倍，其垂直堆疊與矽穿孔（TSV）設計大幅降低了生產效率。瑞銀集團（UBS）預估，2027 年全球 HBM 總需求將達 615 億 Gb，其中 NVIDIA 將消耗約 251 億 Gb，占全球需求近四成（40.8%）。 此外，美國銀行（Bank of America）數據顯示，24GB DDR5-5600/6400 晶片 8 月現貨價單月上漲 8%，價格從 2025 年中的 8 美元一路飆升至逼近 47 美元，年增幅高達 483%。