MemSilicon 宣布 1T4R 1Gb RRAM「泰山一號」完成流片，28nm 密度達 30Mb/mm²

據量子位報導，銘芯啟睿（MemSilicon）於 2026 年 10 月 12 日宣布，完成首代 1TnR 高密度、大容量 RRAM 晶片「泰山一號（MountTai 2026）」流片。該公司宣稱，這是採用 1T4R 結構、容量達 1Gb 的高密度 RRAM 晶片，基於 28nm CMOS 製程平台，儲存密度達 30Mb/mm²，存取延遲低於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路；目前晶片仍在推進驗證，相關性能與可靠度主張尚待進一步確認。 1T4R 是 1TnR 路線的一種結構，由一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，以降低平均分攤至各儲存單元的電晶體面積。MemSilicon 表示，為處理多個儲存單元帶來的漏電流、讀寫干擾與可靠度問題，晶片採用負壓設計、統一復位電路、多電壓域字線驅動、自適應保護偏置電壓，以及片上自適應跟隨讀取電路，並以「電路自適應＋硬體糾錯」提升讀取可靠度。 報導指出，MemSilicon 將高密度、大容量 RRAM 應用於容納 AI 模型權重、KV Cache、參數與資料的需求，另規畫嵌入式 RRAM IP、高密度大容量 RRAM，以及 RRAM 與 DRAM 結合的混合存算三條產品線；其中後者面向具身智慧、AI PC 與端側推理場景。上述產品規畫與應用前景均為公司說法，單一來源目前未提供獨立驗證。