研究與評測
據報 ASML 與 Zeiss 揭露 Hyper NA EUV，瞄準 5 奈米單次曝光
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據 DigiTimes 報導，ASML 與光學合作夥伴 Zeiss 的工程師共同在《Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology》十月期刊發表研究論文，正式揭露名為「Hyper NA EUV」的下一代 EUV 技術。報導稱，這項技術瞄準以單次曝光支援 5 奈米製程；目前材料未提供更多技術規格，ASML 也未見其他佐證來源確認。
讀原始報導背景
High-NA EUV 微影工具會因水平與垂直線條的縮小倍率不同，而採用不同的對焦方式。這項技術仍面臨光阻解析度、隨機缺陷、圖形塌陷，以及光源光子散粒噪聲與生產力等挑戰；電子模糊也估計至少約為 2 奈米。