高塔半導體擬斥資 40 億美元擴產日本，分兩階段擴充矽光子與先進封裝產能

據報導，高塔半導體（Tower Semiconductor）25 日表示，擬投資約 40 億美元將日本打造成大型光通訊連結中心，以回應 AI 基礎設施需求。資金來源包含高塔投資的 30 億美元與日本經濟產業省補助的 10 億美元。 擴產計畫分為兩階段：第一階段將新潟縣荒井閒置的 Fab 6 轉型為 300mm 製程的矽光子（SiPho）與先進光學封裝廠，並提升富山縣魚津 Fab 7 的矽鍺（SiGe）與 SiPho 產能，預計 2027 年第四季達全面量產準備。 第二階段將於 Fab 7 旁新建一座 300mm 晶圓廠，擴大 SiGe EIC 與 SiPho PIC 產能，使該據點具備元件製造與光學引擎組裝能力，為後續導入共同封裝光學（CPO）鋪路。 高塔預估，計畫完成後，日本產能至 2029 年將提升至每月 4.5 萬片 300mm 晶圓，約為 2025 年水準的 40 倍，並預計新增約 200 名員工。