台積電攜手ASML開發12吋光罩，預計2030年導入High-NA EUV

台積電宣布與艾司摩爾（ASML）合作，推動半導體產業將極紫外光（EUV）微影光罩自現行的6吋升級至更大的12吋，目標於2031年前建立12吋光罩試產線。專家指出，此升級主要受輝達（NVIDIA）AI GPU晶片尺寸日益擴大所驅動；因High-NA EUV單次曝光面積縮小，傳統6吋光罩需面臨兩張拼接的痛點，12吋光罩將能解決此問題、提升生產力並增加設計彈性。該技術轉移尚需電子設計自動化（EDA）、光阻劑與光罩盒等生態系共同投入。針對單台造價高達4億美元的High-NA EUV曝光機，台積電董事長魏哲家已宣布計畫自2030年起導入。業界推測，首發候選製程將是A11或A10節點，並預計導入第三代奈米片環繞閘極（nanosheet GAA）架構。此外，英特爾（Intel）與三星（Samsung）亦參與12吋光罩倡議；據報導，英特爾目前已啟用High-NA EUV設備，三星則計畫於2028年將其投入量產。