前瞻與傳聞
傳長鑫存儲開始試產 HBM3E，有望數週內量產且平頭哥等正進行測試
科技新報 AI單一來源
尚未逐項核實
目前依單一來源整理，這是來源數量描述，不是對消息真假的判定。
據外媒引述知情人士報導，長鑫存儲已開始小批量生產 HBM3E 記憶體，目前仍處於風險試產階段。報導指出，基於長鑫過往快速過渡的經驗，可能在數週內進入大規模量產。預計到今年底，其 DRAM 月產能有望達到 35 萬片晶圓，並計畫在 2027 年進一步擴大生產規模。此外，阿里巴巴旗下平頭哥與寒武紀等多家中國晶片製造商正測試 HBM3E 與其處理器的相容性，若進展順利，最快將於明年在產品中採用。根據 JEDEC 規範，HBM3E 採用 1024-bit 位元寬，單引腳速率 9.2Gbps 至 12.4Gbps，典型配置下總頻寬可達 1.2TB/s。報導亦提及，長鑫建設一座潔淨室僅需 12 個月，較業內平均兩年更具效率優勢。
讀原始報導背景
高頻寬記憶體（HBM）是一種用於 3D 堆疊 SDRAM 的電腦記憶體介面，最初由三星、AMD 與 SK 海力士共同開發。它通常與高效能圖形加速器、FPGA 及 ASIC 搭配使用，而其相關規範則由擁有超過 300 名會員的半導體產業聯盟 JEDEC 負責制定。