據高盛報告預估，中國 7 奈米以下半導體自給率將於 2035 年達 66%，中芯國際良率上看 75%

據外資高盛集團（Goldman Sachs）報告預估，中國 7 奈米及以下先進製程晶圓的自給率將從 2025 年的 8% 提升至 2035 年的 66%，供應短缺率將由 92% 降至 34%。預計至 2035 年，中國先進製程晶圓月需求量將達 61.9 萬片，本土供應量可達 41 萬片；2025 至 2035 年間供應量年均成長率達 46%，高於需求年均成長率的 17%（其中 AI 伺服器需求年均成長 42%）。 中芯國際（SMIC）為擴產主力，預估 2026 至 2031 年間每年新增 3 萬至 5 萬片月產能，2032 至 2035 年間每年追加 2 萬片月產能。其先進製程良率預計從 2026 年的 23% 提升至 2030 年的 50%，並於 2035 年達 75%，相比之下目前台積電 7 奈米良率已逾 90%。高盛同時將中國半導體 2030 年資本支出預測大幅調升 79% 至 820 億美元。 設備方面，本土設備商營收佔比預計從 2026 年的 31% 成長至 2028 年的 38%，但深紫外線（DUV）與極紫外線（EUV）曝光機受限於 ASML 依賴與美國出口管制，仍是縮短技術差距的最大阻礙。記憶體部分，長鑫儲存（CXMT）月產能預估將從 2026 年的 27 萬片擴大至 2030 年的 66.5 萬片，預計於 2028 年滿足中國 50% 的 DRAM 需求及 40% 的高頻寬記憶體（HBM）需求，但因缺乏先進設備，短期內技術仍將落後於三星電子與 SK 海力士。