Intel 揭露先進封裝技術細節：封裝尺寸達業界 8 倍，2026 年推 EMIB-T 支援晶片直接供電

據報導，Intel 日前發表其在美國先進封裝領域的最新技術進展，重點展示新墨西哥州 Fab 9 廠區的 Foveros 3D 堆疊、EMIB 矽橋接及 2026 年最新的 EMIB-T 技術。官方表示，該廠區已將封裝尺寸擴展至當前業界標準的 8 倍，大幅拓寬光罩極限（Reticle Limit），並預計在 2028 年進一步達到 12 倍以上。 在具體技術細節上，Foveros 3D 垂直堆疊技術允許將來自不同設計或製程節點的晶片，透過矽晶圓中介層整合在同一個晶圓上，並可將耗電電路置於更具能源效率的製程節點。在水平互連方面，EMIB（嵌入式多晶片互連橋）技術選擇在基板需要連接的部位嵌入微小、高速的矽橋接器，取代成本高昂的矽中介層。 此外，預計於 2026 年推出的 EMIB-T 技術，進一步在矽橋接器中加入專用通道，將電力直接輸送至晶片內部，藉此提升整體電源效率，並最佳化最新高頻寬記憶體（HBM）所需的訊號路由。