特斯拉半導體園區 Terafab 招募記憶體製程工程師，跨足 20 奈米以下 DRAM 開發

據報導，特斯拉（Tesla）官網釋出「記憶體製程整合工程師」職缺，為其與 SpaceX 推動的半導體合資計畫 Terafab 招募人才。 該職位負責制定半間距低於 20 奈米的先進 DRAM 製程整合方案，並推動 MRAM、RRAM 或 3D DRAM 等新興記憶體技術開發。 Terafab 獲英特爾（Intel）技術支援，初期規劃投資 168 億美元於德州格萊姆斯郡興建製造園區，預計最終占地達 1 億平方英尺，目標每年生產 1 TW 的 AI 算力。 該計畫旨在解決半導體製造流程分散的問題，將光罩製作、微影、先進小晶片（chiplet）封裝及測試整合至單一廠區，預期將 6 至 9 個月的晶片設計迭代週期縮短至數週。