據報 Opus 5.5 代理發現兩種室溫磁性半導體候選材料：含全新化合物 YBaMnFeO₅

據報導，研究人員與 Opus 5.5 AI 代理團隊共同發現兩種室溫磁性半導體（Luttinger 補償磁體）候選材料。 其中一種為 AI 全新設計的化合物 YBaMnFeO₅（由釔、鋇、錳、鐵、氧組成），過去從未被製造或提出；另一種則是 1999 年首次合成的既有物質，經計算預測同樣具備所需特性。 AI 代理透過密度泛函理論（DFT）進行量子力學模擬，採用 PBE+U 與較精確的 HSE06 兩種近似層級。根據 HSE06 計算，預測 YBaMnFeO₅ 為半導體並具備 2.35 eV 能隙。 該材料的電洞與電子自旋窗口分別達 1.0 eV 與 1.4 eV，遠大於室溫下的熱擾動（約 26 meV），能有效依能量分離自旋。此類 Luttinger 補償磁體因淨自旋矩為零，無巨觀磁場干擾，可實現更高密度的自旋電子學儲存裝置與更快的切換速度。