據報中國長鑫存儲 8 層堆疊 HBM3 良率僅 25-30%，面臨 TSV 與封裝技術瓶頸

市場消息指出，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在自主研發 8 層堆疊 HBM3 晶片時遭遇嚴重技術瓶頸，產線良率長期停滯在 25% 至 30% 的低水準。業界人士透露，每批次 100 顆 HBM3 晶片中約有 80 顆無法通過品質檢測，而初步產出的晶片在經過額外測試後，也僅有 70% 能真正獲准交付給終端客戶。報導分析，長鑫存儲的主要挑戰在於難以將現有 DRAM 製程規模化升級；單顆 HBM 晶片需開鑿多達 3,000 個矽穿孔（TSV），該公司目前在 TSV 鑽孔、導線配置，以及 DRAM 晶圓層間的堆疊（Stacking）與鍵合（Bonding）技術上均面臨困難。相較之下，主導全球 HBM 市場的 SK 海力士等國際大廠，已開始規劃在下一代 HBM4 採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術以實現高達 16 層的超高密度堆疊。